Peralatan Pelapisan Sputtering Plasma Vakum Tinggi: Peralatan Inti Yang Memungkinkan Metalisasi Substrat Keramik DPC

Peralatan Pelapisan Substrat Keramik Semikonduktor Mengadopsi Prinsip Sputtering Plasma Medan Listrik Vakum Tinggi, Menyuntikkan SEJUMLAH KECIL GAS ARGON KE DALAM RONGGA TERTUTUP, DAN KAKIONISI KEIONA DALAM ALRIAN EONGGA TERTUTUP TERKIONISI KEIONA DALAM ALRIAN ARRIAN EONGGA TERTUTUP TERKIONISI KEIONA DALAM ALIRAN EONGGA EON TERTUM, MENKIONISI KEION ALIRAN ALRIAN EONGGA ION TERTUM, KAKIONISI ION TERTURAISI ION TERTURG EONGGA ION TERTURAISI Ion argon berenergi tinggi ini akan dipercepat dan membombardir bahan target ke arah, sehingga atom pada permukaan bahan target "tergagap" keluar dan diendapkan secara merata pada permukaan substrat keramik, sehingga membentuk lapisan komposit logam tembaga dengan struktur yang padat dan Adhesi Yang Kuat.
Peralatan Pelapisan Substrat Keramik Semikonduktor Adalah Tautan Utama Dalam Teknologi Pemrosesan Substrat Keramik DPC, Meletakan Fondasi Yang Kuat Unktok Pembuatan Sirkuit BerIKUTNYA, Transfer Grafis, Dan Integrasi Fungsional. Melalui deposisi lapisan logam presisi tinggi, substrat keramik tidak hanya mencapai konduktivitas yang sangat baik, tetapi juga memiliki stabilitas termal dan kekuatan mekanik yang lebih kuat, sepenuhnya memenuhi persyaratan ketat dari aplikasi kelas ATAS SEPERTI Komunikasi 5G, Elektronik Otomotif, Dan Modul Daya Untuc Kinerja Substrat.
Selama Proses Pengendapan Lapisan Logam, Kotoran Apa Pun Akan Secara Serius Mempengaruhi Stabilitas Struktural, Sifat Listrik Dan Adhesi Lapisan Yang Diendapkan. Oleh Karena Itu, Peralatan ini dilengkapi SISTEM SISTEM RUANG Pengemasan Vakum Yang Tinggi, Dan Derajat Vakum Dapat Mencapai Tingkat 10⁻⁵ Pa. Melalui Keterkaitan Pompa Molekul Efisiensi Tinggi Dan Pompa Mekanik Untukur Knalpot, Salurtur Penyegelan Multi-Lapisan, Kebocoran Dicegah, Dinding Dalam Dalam Dipol, Dan Residu Adsorpsi Berkurang, Berkurang, Dalam KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMAT KEMATUS Tenjak Ada Reaksi Logam Dari Sumber Yang Lebih Besar Dari Sumber Yang Lebih Baik, Yang Sangan Meningkatkan Kepekekaan Dan Keseragaman. Substrat untuk Perangkat Daya Tinggi Persyaratan Yang Sangan Tinggi Tinggi Kemurnian Dan Konsistensi.
Peralatan ini Mengadopsi Sistem Sumber Ion Plasma Yang Dikendalikan Dangan Presisi, Yang Secara Otomatis Dapat Menyesuaika Sesuai Bahan Bahan Target Yang Berbeda, Target KeBalan, Bentuk Dan Posisi Substrat. Sumbtur Sumber ion Yang Sangat Terkendali Ini Dapat Dapat Distribusi Sputtering Atom Logam Yang Lebih Seragam, Memastikan Bahwa Keseragaman Ketealan, dan Kesalana Konsistensi Subbat Lapisan Komposit Logam Lula Permukaan 3 SANGAT COCOK UNTUK Produksi Stabil Substrat Keramik Berukuran Besar ATAU Berbentuk Khusus.
UNTUK MEMENUHI Kebutuhan Pemrosesan Pelanggan Substrat Keramik Darifikasi Yang Berbeda, Peralatan Pelapis Substrat Keramik Semikonduktor Mengadopsi Desain Modular, Yang Secara Flekissibel Dapapan Dapapan Mendukung Tata Letak Paralel Stasiun Ganda Atau Multi-Kandang.
SISTEM KONTROL DAPAT MENGATUR PARAMETER Berbagai Proses dan DANGAN CEPAT MENGGANTI BATCH PRODUK. Struktur ini tidak hanya meningkatkan flekssibilitas pengggunaan peralatan, tetapi juta sangat Mengurangi Waktu Pesiesuaian Mesin Dan Biaya Intervension Manual Saat Model Model Produk. Ini SANGAT COCOK UNTUK OEM, PRODUKSI UJI COBA Penelitian Ilmiah Dan Lingkungan Produksi Yang Kompatibel Dan Paralel.
Semikonduktor keramik substrat peralatan pelapisan sistem catu daya penggadopsi logika kontrol hemat energi beralih efisiensi tinggi, Dan konsumsi energi berkurang 15% -30% dibandingkan pelapisan igisional. Pada Saat Yang Sama, Ia Memiliki Mekanisme Optimisasi Start-Stop Dan Siaga Otomatis, Penyesuaian Daya Otomatis Setelah Stabilisasi Proses, Dan Mengurangi Konsumsi Enerigi Yang Berlebihan. Konfigurasi Opsional Keterkaitan Multi-Rongga Dapat Produksi Kontinu 24 Jam Tanpa Gangguan. Ini sangat cocok unkak pelanggan produksi substrat massal keramik yang peka terhadap konsumsi energi unit output dan memilisi persyaratan tinggi unkUkeension 33333,